日本川崎–（美国商业资讯）– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation （“Toshiba”）推出了“TPH2R70AR5”——一款采用Toshiba最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的100V N沟道功率MOSFET。该MOSFET的目标应用包括数据中心和通信基站所用工业设备的开关电源。产品发货自即日起开始。
100V U-MOS11-H系列在Toshiba现有U-MOSX-H系列工艺的基础上，优化了漏源导通电阻(RDS(ON)）、总栅极电荷(Qg）及二者的权衡特性(RDS(ON) × Qg），从而降低了传导损耗和开关损耗。
与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低约8%，Qg降低37%，RDS(ON) × Qg改善42%。通过应用寿命控制技术[2]，该产品还实现了高速体二极管性能，减少了反向恢复电荷(Qrr）并抑制了尖峰电压。Qrr改善约38%，RDS(ON) × Qrr也改善约43%。这些行业领先的[3]权衡特性[4]（RDS(ON) × Qg和RDS(ON) × Qrrr）将功率损耗降至最低，有助于提升电源系统的效率和功率密度。此外，它采用SOP Advance (N)封装，与行业标准具有出色的安装兼容性。
Toshiba还提供电路设计支持工具：可快速验证电路功能的G0 SPICE模型，以及能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。所有工具现已全面可用。
Toshiba将继续扩展低损耗MOSFET产品线，助力打造更高效率的电源，为降低设备功耗做出贡献。
注：
[1] 截至2025年9月，Toshiba的低压功率MOSFET工艺技术之一。Toshiba调查。
[2] 寿命控制技术：通过利用离子束在半导体中引入缺陷，有意缩短载流子寿命，从而提高开关速度，改善二极管的恢复速度并降低噪声。
[3] 截至2025年9月，与其他用于工业设备的100V N沟道功率MOSFET相比。Toshiba调查。
[4] RDS(ON)×Qg ： 120mΩnC（典型值），RDS(ON) Qrr ： 127mΩ×nC（典型值）
应用领域
- 数据中心和通信基站所用工业设备的电源
- 开关电源（高效DC-DC转换器等）
产品特点
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）(VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低总栅极电荷：Qg=52nC（典型值）(VDD=50V, VGS=10V, ID=50A, Ta＝25°C)
- 低反向恢复电荷：Qrr=55nC（典型值）(IDR＝50A, VGS=0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta＝25°C)
主要规格
| （除非另有说明，否则Ta=25°C） | ||||
| 部件编号 | TPH2R70AR5 | |||
| 绝对最大额定值 | 漏源电压 VDSS (V) | 100 | ||
| 漏极电流（直流）ID (A) | Tc=25°C | 190 | ||
| 沟道温度 Tch （°C) | 175 | |||
| 电气特性 | 漏源导通电阻RDS(ON) (mΩ） | VGS=10V, ID=50A | 最大值 | 2.7 |
| VGS=8V, ID＝50A | 最大值 | 3.6 | ||
| 总栅极电荷Qg (nC) | VDD=50V, VGS=10V,ID=50A | 典型值 | 52 | |
| 栅极开关电荷 Qsw (nC) | 典型值 | 17 | ||
| 输出电荷 Qoss (nC) | VDD=50V, VGS=0V,f=1MHz | 典型值 | 106 | |
| 输入电容Ciss (pF) | VDS=50V, VGS=0V,f=1MHz | 典型值 | 4105 | |
| 反向恢复电荷 Qrr (nC) | IDR＝50A, VGS=0V,-dIDR /dt=100A/μs | 典型值 | 55 | |
| 封装 | 名称 | SOP Advance(N) | ||
| 尺寸(mm) | 典型值 | 5.15×6.1 | ||
| 样品检查及供应情况 | 在线购买 | |||
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。
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Toshiba：TPH2R70AR5——采用最新一代工艺技术的100V N沟道功率MOSFET。
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