日本北上–(美国商业资讯)–内存解决方案的全球领导者铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天在位于日本岩手县的北上(Kitakami)工厂为其最先进的半导体制造设施(Fab2)举行了动工仪式。新设施利用基于人工智能的尖端制造技术，将有助于扩大北上工厂专有的3D闪存BiCS FLASHTM的产能。Fab2设施的建设计划于2023年完成。
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Fab2设施将采用抗震结构和环保友好型设计，使用先进的节能制造设备和可再生能源。此外，铠侠还将建造一座行政大楼，以容纳控制管理和技术部门，以应对人员的增加。
铠侠总裁兼首席执行官Nobuo Hayasaka表示：“作为存储器的领导者，Fab2工厂将成为铠侠的关键制造中心，大规模生产我们的存储器产品。我们正计划引入设施内自动传递装置和先进的生产控制，使Fab2成为真正的世界级智能制造工厂。Fab2将能够与北上工厂的Fab1以及我们在四日市的工厂进行智能协调和优化生产，使公司能够及时抓住不断增长的存储器市场机遇。”
铠侠秉承“用内存提升世界”的使命，专注于制定措施，加强其内存和固态硬盘业务的竞争力。自1987年发明NAND闪存以来，该业务已发展了35年。铠侠仍然致力于通过及时的资本投资来实现稳定和可持续的增长，以满足不断增长的市场需求。
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关于铠侠
铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘(SSD)。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司分拆出来。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户提供选择，为社会创造基于内存的价值，从而用“内存”提升世界。铠侠创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造诸多高容量应用的未来存储方式，其中包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心等。
北上工厂Fab2的效果图（图示：美国商业资讯）
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