– 三款新器件提升工业设备效率与功率密度 –
日本川崎–（美国商业资讯）– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation （“Toshiba”）推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，搭载最新[1]第三代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备，如开关式电源和用于光伏发电机的功率调节器。“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”这三款MOSFET即日起开始批量出货。
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新产品是Toshiba第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，器件体积减少80%以上，设备功率密度也得以改善。
TOLL封装还具有比通孔封装更低的寄生阻抗[2]，有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装，可将开尔文连接用作栅极驱动的信号源端子。这可以减少封装内的源极引线电感的影响，实现高速开关性能；以TW048U65C为例，其开通损耗和关断损耗分别比现有Toshiba产品[5]降低约55%和25%[4]，有助于降低设备功率损耗。
Toshiba将继续扩展产品阵容，为提升设备效率和增加功率容量做出贡献。
| 第三代SiC MOSFET封装阵容 | |
| 类型 | 封装 |
| 通孔型 | TO-247 |
| TO-247-4L(X) | |
| 表面贴装型 | DFN8×8 |
| TOLL | |
注：
[1] 截至2025年8月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 具有靠近FET芯片连接的信号源端子的产品。
[4] 截至2025年8月，Toshiba测量值。详情请参见Toshiba网站发布版本中的图1。
[5] 采用无开尔文连接TO-247封装的具有同等电压和导通电阻的650V第三代SiC MOSFET。
应用领域
- 服务器、数据中心、通信设备等的开关式电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
产品特点
- 表面贴装TOLL封装：支持设备小型化与自动化组装。开关损耗低。
- Toshiba第三代SiC MOSFET：- 优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻良好的温度依赖性。
– 低漏源导通电阻×栅漏电荷积– 低二极管正向电压：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)
| 主要规格 | ||||||
| （除非另有说明，否则Ta=25℃） | ||||||
| 部件编号 | TW027U65C | TW048U65C | TW083U65C | |||
| 封装 | 名称 | TOLL | ||||
| 尺寸(mm) | 典型值 | 9.9×11.68×2.3 | ||||
| 绝对最大额定值 | 漏源电压 VDSS (V) | 650 | ||||
| 栅源电压 VGSS (V) | -10至25 | |||||
| 漏极电流（直流）ID (A) | Tc=25°C | 57 | 39 | 28 | ||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ） | VGS=18V | 典型值 | 27 | 48 | 83 |
| 栅极阈值电压 Vth (V) | VDS=10V | 3.0至5.0 | ||||
| 总栅极电荷 Qg (nC) | VGS=18V | 典型值 | 65 | 41 | 28 | |
| 栅漏电荷 Qgd (nC) | VGS=18V | 典型值 | 10 | 6.2 | 3.9 | |
| 输入电容 Ciss (pF) | VDS=400V | 典型值 | 2288 | 1362 | 873 | |
| 二极管正向电压 VDSF (V) | VGS=-5V | 典型值 | -1.35 | |||
| 样品检查及供应情况 | 在线购买 | 在线购买 | 在线购买 | |||
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。
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Toshiba：TOLL封装650V第三代SiC MOSFET。
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