东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET

– 新器件进一步提高电源效率

东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。

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TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件，是一款支持高达57A连续漏极电流(I_D)的650V器件，而出现脉冲电流(I_DP)时，可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω（0.033Ω典型值）超低漏源极导通电阻R_DS(ON)，可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计，该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。

关键性能指标/品质因数(FoM) – R_DS(ON) x Q_gd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比，TK040N65Z的这一重要指标提升40%，这意味着电源效率显著提高，据测量，2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%^[1]。

该款新器件采用业界标准的TO-247封装，既实现了与旧版设计的兼容性，也适用于新项目。

为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。

该款新器件的批量生产和出货即日启动。

应用场合

• 数据中心（服务器电源等）
• 光伏发电机功率调节器
• 不间断电源系统

特点

• R_DS(ON) × Q_gd降低，支持开关电源提高效率

注：
[1] 截至2018年6月，东芝测量值（2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW）。

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东芝：DTMOS VI系列中的首款器件——新一代超结功率MOSFET“TK040N65Z”（照片：美国商业资讯）