东京–（美国商业资讯）–全球内存解决方案领导者Kioxia Corporation今天宣布，其产品已被日本国家研究开发机构——日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)采用，用于其关于开发创新内存制造技术的开创性提案，以增强后5G信息和通信系统基础设施。
在后5G信息和通信时代，预计AI将产生前所未有的数据量。这种激增很可能将导致数据中心数据处理需求的迅速攀升和功耗的增加。为了解决这个问题，下一代存储器必须能够通过高性能处理器促进快速数据传输，同时增加容量并降低功耗。
作为这一开创性项目的一部分，Kioxia将专注于为最近推出的Compute Express Link™ (CXL™）接口标准研发内存。其目标是开发相较DRAM功耗更低、位密度更高，相较闪存读取速度更快的内存。这不仅会提高内存利用效率，还有助于节能。
基于我们的尖端三维(3D)闪存技术BiCS FLASH™的成功，Kioxia将继续致力于推进新兴内存的研发。公司力求满足未来计算和存储系统对更大容量、更优性能和更高价值的半导体存储器日益增长的需求。
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关于Kioxia
Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月从Toshiba Corporation（1987年发明了NAND闪存）剥离出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展，该公司提供各种产品、服务和系统，为客户提供多样化选择，并基于存储器技术创造价值，推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心）的未来。
按位密度和读取时间划分的内存类别（图示：美国商业资讯）
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