剑桥市，马萨诸塞州–（美国商业资讯）– TFLN Chiplet™ 平台的开发者HyperLight Corporation（以下简称“HyperLight”）今日宣布，专为下一代人工智能网络基础设施设计的每通道400G薄膜铌酸锂（TFLN）光子集成电路（PIC）现已上市。此全新PIC系列具备低插入损耗、低驱动电压工作特性以及卓越的电光带宽，可实现每通道400G的高能效、高性能光链路。
向每通道400G的过渡是未来人工智能基础设施的关键一步，它能提供更高的互连带宽并提升系统密度。HyperLight的每通道400G TFLN PIC提供了支持这些下一代光链路所需的大电光带宽和低电压操作特性，而在这些链路中，带宽、信号完整性和能效正变得越来越挑战电子集成电路的承受极限。
HyperLight的TFLN器件兼具高调制效率和极低的光损耗，支持采用单激光器或双激光器配置的发射机架构。这些器件采用HyperLight的TFLN Chiplet™平台制造，该平台专为高性能TFLN光子器件的可扩展生产而设计。
HyperLight首席执行官Mian Zhang表示：“每通道400G正是TFLN优势得以充分展现的典型案例。虽然从带宽角度来看，每通道400G对许多技术都构成了挑战，但TFLN在保持低驱动电压的同时，提供了充裕的带宽余量。这不仅确保了出色的可制造性，还显著降低了模块功耗。”
Broadcom物理层产品事业部副总裁兼总经理Vijay Janapaty表示：“随着行业迈向每通道400G的时代，光器件的性能变得愈发关键。HyperLight的高带宽TFLN发射器PIC，结合Broadcom的Taurus™ DSP平台，为下一代光互连提供了卓越的信号完整性和能效。”
Eoptolink首席执行官Richard Huang表示：“HyperLight的TFLN解决方案在实现高性能、高能效的每通道400G光收发器方面发挥着重要作用。TFLN PIC的卓越性能减少了对专用外部驱动器的需求，降低了激光器数量，并简化了模块集成，最终提升能效、可靠性并降低成本。”
About HyperLight
HyperLight致力于提供基于薄膜铌酸锂技术的高性能集成光子学解决方案。该公司将TFLN的电光优势与可扩展的制造、测试和集成能力相结合，为AI数据中心、电信和城域网络以及新兴光子学市场打造下一代光学引擎。
网站： https://www.hyperlightcorp.com
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