东京–(美国商业资讯)–东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路，与东芝的传统产品相比，工作电压更低[1]，为VDD(opr) = 5至18V。出货即日起启动。
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新产品主要规格 |
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1. |
BiCD 0.13μm工艺 |
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2. |
供电电压：VDD(opr)=5至18V |
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3. |
内置过流保护功能 |
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4. |
内置过流诊断功能 |
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5. |
输出电压 |
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VOUT=VDD+8V（最低值）@VDD=5V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C |
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VOUT=VDD+10V（最低值）@VDD=8至18V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C |
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6. |
小型封装 |
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PS-8 (2.8mm x 2.9mm) |
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应用
适用于汽车应用，驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET，包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。
注释：
[1] 与“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比
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东芝：汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器（照片：美国商业资讯）
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