-能够降低传导损耗的-40V P-ch MOSFET加入产品阵容
东京–(美国商业资讯)–东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)旗下的半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)今天宣布推出一款汽车用-40V P-ch功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。作为MOSFET系列的最新产品，“TJ200F04M3L”即日起开始出货。
新产品通过安装一枚采用东芝U-MOS VI沟槽工艺制造的芯片，实现了业界顶级[1]的低导通电阻。该芯片采用TO-220SM(W)封装，这种封装使用经过改进的Cu（铜）连接器区域。新产品的低导通电阻有助于减少电子设备的传导损耗。该产品正在进行测试，以期获得AEC-Q101汽车认证[2]。
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主要规格： |
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产品型号 |
绝对最大额定值 |
封装 |
RDS(ON) 最大值 @VGS = 10V (mΩ) |
Tch (℃) |
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VDSS (V) |
ID (A) |
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TJ200F04M3L |
-40 |
-200 |
TO-220SM(W) |
1.8 |
175 |
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注释
[1] 在具有相同额定值的产品类别中，截至2015年3月17日。东芝调查。
[2] 请联系您当地的东芝销售办事处，了解认证过程的最新进展。
点击以下链接，了解有关东芝汽车用MOSFET的更多信息。
http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/automotive/automotive-mosfet.html
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东芝：汽车用-40V P-ch功率MOSFET“TJ200F04M3L”（照片：美国商业资讯）
