Transphorm的SuperGaN亮相PCIM 2024展会:在大功率系统中超越碳化硅和增强型氮化镓的能力

展览会 文传商讯

Transphorm常闭耗尽型(D-Mode)平台带来的更低损耗、更高性能,以及突破性的氮化镓产品创新,使电动汽车、数据中心/人工智能和其他多市场电源系统成为可能

加利福尼亚州戈利塔–(美国商业资讯)–全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,将在2024德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM 2024)上展示其超越竞争对手的宽带隙技术。例如,与碳化硅相比,Transphorm的常闭耗尽型SuperGaN®平台具有更高的电子迁移率,从而降低了交叉损耗,为各种电动车、数据中心/人工智能、基础设施、可再生能源和其他广泛的工业应用提供了更具成本效益、性能更高的解决方案。如需了解更多信息,可在2024年6月11至13日的PCIM展会期间,莅临Transphorm位于7号展厅108展位进行面对面交流 。

Transphorm SuperGaN场效应晶体管正投产于广泛的客户产品,这些产品的功率范围涵盖从低功率的45瓦电源适配器到高功率的7.5千瓦电源装置。其中许多客户产品是首批公开认可的基于氮化镓的同类系统,展示了SuperGaN平台独有的优势。例如,如前所述的用于关键任务数据中心/区块链应用的7.5千瓦液冷电源、功率密度大于82瓦/立方英寸的2.7千瓦服务器CRPS电源(目前所有氮化镓电源系统中最高),以及2.2千瓦和3千瓦机架式1U不间断电源(UPS)。这些设计的成功表明,Transphorm有能力推动氮化镓进入各种应用市场,预计到2028年,氮化镓的总可寻址市场(TAM)将达到80亿美元。

除了实际的客户产品外,Transphorm继续引领技术成果,最近展示了5微秒短路耐受时间、双向四象限开关和1200伏蓝宝石氮化镓器件。

现场演示将包括用于两轮和三轮电动车充电器的Transphorm解决方案,以及适用于可再生能源系统、数据中心等的电源装置。

演讲活动

欢迎莅临展会的Bodo’s Power Systems部分,了解有关Transphorm氮化镓解决方案如何在技术上超越竞争对手,实现跨行业创新的更多信息。

小组讨论:氮化镓宽带隙设计——电力的未来

主讲人:Philip Zuk,商业拓展与市场高级副总裁

日期:6月12日

时间:当地时间下午2:20 – 3:20

地点:7号展厅743展位

一个核心平台,覆盖功率频谱

Transphorm是领先的氮化镓功率半导体公司,其技术的与众不同之处在于:

可制造性:涵盖EPI设计、晶圆工艺和场效应晶体管芯设计的垂直整合。

可设计性:提供知名的行业标准封装和高性能封装,同时与全球客户合作,实现更简单、更快速的系统开发。

可驱动性:提供与硅同等的可驱动器件,并可与成品控制器和驱动器配对,同时只需极少的外部电路。

可靠性:在从低功率到高功率的应用中,经过超过3,000亿小时的现场运行,目前的失效率小于0.05,仍处于行业领先地位。

线下交流

如需在展会期间与Transphorm安排会面,请联系 vipin.bothra@transphormusa.com。

关于 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新,包括设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性,实现了超过99%的效率,并将功率密度提高50%,将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于美国加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com,或关注我们的Twitter:@transphormusa以及微信公众号:TransphormGaN氮化镓

SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

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