东京–（美国商业资讯）–存储器解决方案领域的全球领导者Kioxia Corporation今天宣布开发出OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM），这种新型4F2 DRAM由同时具有高导通电流和超低关断电流的氧化物半导体晶体管组成。该技术有望通过发挥InGaZnO*1晶体管的超低泄漏特性来实现低功耗DRAM。这一消息是在2024年12月9日于加州旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上首次公布的。这项成果由Nanya Technology和Kioxia Corporation共同开发。该技术有望降低多种应用的功耗，包括AI和后5G通信系统以及物联网产品。
OCTRAM使用圆柱形InGaZnO垂直晶体管（图1）作为单元晶体管。该设计可实现4F2 DRAM的适配，与传统的硅基6F2 DRAM相比，在内存密度方面具有显著的优势。
通过器件和工艺优化（图2），InGaZnO垂直晶体管可实现超过15微安/单元的高导通电流 （1.5 x 10-5安/单元）和低于1绝对安培/单元的超低关断电流 （1.0 x 10-18安/单元）。在OCTRAM结构中，InGaZnO垂直晶体管被集成在高深宽比电容器（电容器优先工艺）的顶部。这种安排允许对先进电容器工艺和InGaZnO性能之间的相互作用进行解耦（图3）。
*1: InGaZnO是In（铟）、Ga（镓）、Zn（锌）和O（氧）的化合物
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关于Kioxia
Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月从1987年发明了NAND闪存的公司Toshiba Corporation剥离出来。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心）的未来。
图1：InGaZnO垂直晶体管的横截面TEM图像（照片：美国商业资讯）
图2：开发出的InGaZnO晶体管的(a)导通和(b)关断电流特性（图示：美国商业资讯）
图3：OCTRAM全景视图（照片：美国商业资讯）
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