新器件是业界首款标准型顶部冷却TOLT GaN晶体管，再度扩充公司丰富的封装产品组合
加利福尼亚州戈利塔–（美国商业资讯）–坚固耐用GaN功率半导体是下一代电力系统的未来，该领域的全球领先企业Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今天推出了SuperGaN® TOLT FET。TP65H070G4RS晶体管导通电阻为72兆欧姆，是业界首款采用JEDEC标准(MO-332) TOLT封装的顶部冷却表面贴装GaN器件。对于系统要求不允许采用更传统的表面贴装设备与底部冷却的应用场景，TOLT封装可为客户实现灵活的热管理。TOLT的热性能与广泛使用的热坚固的TO-247通孔封装相似，并具有以SMD为基础的印刷电路板组装(PCBA)的高效制程这一额外优势。
TP65H070G4RS利用Transphorm稳健、高性能的650伏常关d模式GaN平台，通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，提高了硅、碳化硅和其他GaN产品的效率。SuperGaN平台的优势与TOLT更好的散热和系统组装灵活性相结合，为寻求以更低的整体电力系统成本将更高功率密度和效率推向市场的客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。
Transphorm与多个高功率GaN全球合作伙伴合作，包括服务器和存储电源的领先客户，能源/微型逆变器领域的全球领导者，离网电源解决方案的创新制造商，以及卫星通信的领导者。
Transphorm业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示：“TOLL和TOLT等表面贴装器件具有各种优点，例如内部电感较低以及在制造过程中更简单的电路板安装。通过顶部冷却，TOLT增加了更灵活的整体热管理，具有类似通孔的热性能。这些器件通常用于关键细分市场的中高功率系统应用，包括高性能计算（服务器、电信、人工智能电源）、可再生能源和工业以及电动汽车，其中一些GaN技术已经为其提供了推动力。我们非常高兴能够让我们的客户通过TOLT SuperGaN解决方案实现额外的系统级优势。”
就在今天的产品发布之前，Transphorm刚刚推出了三款新型TOLL FET。TOLT的面世再次扩大了公司的产品范围。它的可用性突出了Transphorm通过在最宽的功率范围内提供各种封装的SuperGaN平台来支持客户偏好这一承诺。
器件规格
SuperGaN器件以无与伦比的性能引领市场：
- 可靠性 < 0.05 FIT
- 栅极安全裕度 ± 20 V
- 抗噪性 4 V
- 电阻温度系数（TCR）比e模式常闭GaN低20%
- 驱动灵活性与标准的现成硅驱动器
稳定可靠的650 V SuperGaN TOLT器件通过JEDEC认证。由于常闭d模式平台将GaN HEMT与集成低压硅MOSFET搭配，因此SuperGaN FET易于使用常用的现成栅极驱动器驱动。它们可用于各种硬开关和软开关AC-to-DC、DC-to-DC、DC-to-AC拓扑，以提高功率密度，同时减小系统尺寸、重量和总体成本。
| 部件 | 尺寸 (mm) | RDS(on) (mΩ） typ | RDS(on) (mΩ） max | Vth (V) typ | Id (25°C) (A) max |
| TP65H070G4RS | 10 x 15 | 72 | 85 | 4 | 29 |
供货和支持资源
TP65H070G4RS SuperGaN TOLT器件目前可提供样品。要接收产品，请在https://www.transphormusa.com/en/products/提出申请。
获取TP65H070G4RS数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是GaN革命的全球领导企业。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性GaN半导体。Transphorm具有最大的功率GaN IP组合之一，拥有1000多项公司拥有或获得许可的专利。该公司生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101要求的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备商业模式允许在每个开发阶段进行创新：设计、制造、设备和应用支持等。Transphorm的创新使电力电子产品超越了硅的限制，实现了超过99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔，并在戈利塔和日本艾祖设有制造业务。若要了解更多信息，请访问www.transphormusa.com。请在推特@transphormasa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。
SuperGaN标志是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
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