该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书揭示了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势
美国加利福尼亚州圣何塞–（美国商业资讯）–深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会（2025 OCP Global Summit），其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上，NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作，加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
新白皮书详细阐述了Power Integrations业界首款1250V PowiGaN HEMT的性能优势，揭示了其经过实际应用验证的可靠性以及满足800VDC架构的功率密度和效率要求（>98%）的能力。此外，该白皮书还表明，与堆叠式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，单个1250V PowiGaN开关可提供更高的功率密度和效率。
该白皮书还重点介绍了Power Integrations的InnoMux™2-EP IC，它是适用于800VDC数据中心辅助电源的独特解决方案。InnoMux-2器件内集成的1700V PowiGaN开关支持1000VDC输入电压，其SR ZVS工作模式在液冷无风扇的800VDC架构中可为12V系统提供超过90.3%的效率。
Power Integrations产品开发副总裁Roland Saint-Pierre表示：“随着人工智能对电力需求的不断增长，采用800VDC输入方案可简化机架设计、提高空间利用效率并减少铜材用量。随着机架电力需求的不断攀升，我们认为1250V和1700V PowiGaN器件是主电源和辅助电源的理想选择，它们能够满足800VDC数据中心所需的效率、可靠性和功率密度要求。”
Power Integrations作为唯一实现量产1250V和1700V高压GaN开关的供应商，于2018年推出首款GaN IC，目前已有超过1.75亿个GaN开关应用于各类终端产品，涵盖快速充电器、数据中心及电动汽车等领域。
如需详细了解有关Power Integrations面向AI数据中心的PowiGaN技术，并获取题为《1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI数据中心架构中的应用》的白皮书，请访问power.com/ai-data-center。要阅读NVIDIA关于800VDC架构的技术博客，请单击此处。
关于Power Integrations
Power Integrations, Inc.是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分，可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和使用。有关详细信息，请访问网站www.power.com。
Power Integrations、Power Integrations徽标、PowiGaN和InnoMux是Power Integrations, Inc.的商标、服务标志或注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
Power Integrations详述适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术。
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