Kioxia采用新的BiCS FLASHTM技术,推出业界容量最高的2Tb QLC闪存

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通过在堆叠技术和晶圆键合技术方面的突破性架构创新得以实现

东京–(美国商业资讯)– Kioxia Corporation是先进的存储解决方案供应商,该公司今天宣布,开始出货采用第八代BiCS FLASHTM3D闪存技术的2Tb(兆兆位)四级单元(QLC)存储设备样品(1)。这款2Tb QLC设备拥有业内最高容量(2),将存储设备提升到新的容量点,将推动包括人工智能在内的多个应用领域的增长。

凭借其最新的BiCS FLASHTM技术,Kioxia通过专有工艺和创新架构实现了存储器芯片的纵向和横向扩展。此外,该公司还采用了突破性的CBA(CMOS直接键合到阵列)(3)技术,该技术助力实现更高密度的设备和业界领先的3.6Gbps接口速度(4)。这些先进技术共同应用于2Tb QLC的制造,造就了业界最高容量的存储设备。

与Kioxia目前的第五代QLC设备相比,2Tb QLC的位密度高出约2.3倍,写入能效高出约70%,是Kioxia产品中容量最高的设备。最新的QLC设备在单个存储器封装中采用16芯片堆叠架构,实现了业界领先的4 TB(太字节)容量。它的封装尺寸更小,为11.5 x 13.5毫米,封装高度为1.5毫米。

Pure Storage, Inc.是一家提供全球最先进数据存储技术和服务的IT领军企业,其首席执行官Charles Giancarlo强调了Kioxia的最新开发成果对他们的公司平台的重要意义:“我们与Kioxia有着长期的合作关系,很高兴采用他们的第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC闪存产品来提升我们全闪存存储解决方案的性能和效率。Pure的统一全闪存数据存储平台能够满足人工智能的苛刻需求以及备份存储的高昂成本。在Kioxia技术的支持下,Pure Storage将继续提供出色的性能、能效和可靠性,为我们的客户带来卓越的价值。”

Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示:“我们很高兴推出采用第八代BiCS FLASH™新技术的全新2Tb QLC样品。2Tb QLC产品具有业界领先的高位密度、高速数据传输和卓越的能效,将为快速崛起的AI应用和需要节省电力和空间的大型存储应用提供新的价值。”

除了2Tb QLC,Kioxia还推出了1Tb QLC存储设备。与容量优化的2Tb QLC相比,性能优化的1Tb QLC的顺序写入性能提升了约30%,读取延迟改善了约15%。1Tb QLC将部署在高性能应用中,包括客户端SSD和移动设备。

Kioxia将继续开发行业领先的存储产品,以满足日益增长的数据存储解决方案需求。

(1) 这些样品用于功能检查,其规格可能与批量生产的产品有所不同。

(2) 截至2024年7月3日。Kioxia调查。

(3) CBA(CMOS直接键合到阵列)技术,即每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆在其优化状态下单独制造,然后键合在一起。

(4) 1Gbps是指每秒1,000,000,000比特。该值是在Kioxia的特定测试环境下获得的,可能会因用户的条件而异。

*每次提及Kioxia产品时:产品密度是根据产品内存储芯片的密度来确定的,而不是最终用户可用于数据存储的存储容量。由于开销数据区域、格式、坏块和其他限制,消费者可用的容量会更少,并且可能因主机设备和应用而异。有关详细信息,请参阅适用的产品规格。1KB的定义 = 2^10字节 = 1,024字节。1Gb的定义 = 2^30比特 = 1,073,741,824比特。1GB的定义 = 2^30字节 = 1,073,741,824字节。1Tb = 2^40比特 = 1,099,511,627,776比特。

*读写速度是在Kioxia的特定测试环境中获得的最佳值,Kioxia不保证单个设备的读写速度。读写速度可能因所用设备和读写文件大小而异。

*公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从Toshiba Corporation(1987年发明了NAND闪存)剥离出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展,该公司提供各种产品、服务和系统,为客户提供多样化选择,并基于存储器技术创造价值,推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心)的未来。

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