日本大阪–(美国商业资讯)–松下公司今日宣布其开发出一种用于功率器件的半导体封装材料，该材料具有业界一流*1的耐高温性能（玻璃化转变温度，可耐210°C高温）和卓越的长期稳定性。CV8540系列产品将于2015年10月开始样品出货。
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市场对消耗更少能源的车辆以及尺寸更小、重量更轻的车载设备的需求一直不断增加。为了解决这些问题，该行业一直在关注基于碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)的功率器件。然而，当在汽车中使用时，功率器件必须拥有卓越的耐高温性能和大电流特性以及卓越的长期稳定性。
目前广泛使用的硅器件在工作时有时可能到达约125-150°C的高温。由于碳化硅或氮化镓器件具备处理大电流的能力，因此它们可以在这种高温环境下工作，甚至可以在200°C以上的温度下工作。
为了充分利用这一优点，用于功率器件的半导体封装材料还必须拥有更出色的耐高温性能和长期稳定性。传统封装材料具有一个缺点：当遇到高温时，它们会从引线框架和器件上剥落。松下现在已实现业界一流*1的耐高温性能并提高了材料内部的粘合性，让该公司能够开发并实现具有卓越长期稳定性的半导体封装材料的商品化。
这种封装材料具有以下优点：
1. 业界最佳的耐高温特性有助于该功率器件应用于发热或高温环境中。
耐高温特性（该封装材料的玻璃化转变温度）：高达210°C（我们的传统产品*2：170-180°C）
2. 卓越的长期稳定性有助于提高功率器件的稳定性。
在下列耐环境性能测试中，未观察到封装材料出现裂纹，也未观察到封装材料从引线框架和功率器件上剥落。
• 温度循环测试：-40-200°C, 1,000次循环
• 高温搁置测试:200°C温度下搁置3,000小时
*1 作为一种用于碳化硅或氮化镓功率器件的半导体封装材料。截至2015年10月1日的内部调查
*2 我们的传统产品（CV4100系列）
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特性： |
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项目 |
单位 |
开发材料 |
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用于铜引线框架封装 |
用于陶瓷衬底封装 |
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玻璃化转变温度(Tg) |
°C |
210 |
||||
|
热膨胀系数 |
ppm/°C |
14 |
11 |
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|
弯曲强度 |
MPa |
110 |
100 |
|||
|
弯曲模量 |
GPa |
13 |
13 |
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|
吸湿系数 |
% |
0.3 |
0.3 |
|||
|
模压收缩率 |
% |
0.15 |
0.1 |
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成型方法 |
传递模塑法、模压成型法 |
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* 以上所有数值均为典型代表值，而非保证值。 |
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关于松下
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温度循环测试结果（图示：美国商业资讯）
耐高温半导体封装材料（图示：美国商业资讯）
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