东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

— 采用小型低电阻封装，实现更低的导通电阻

东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。

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这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS IX-H沟槽工艺制造，采用小型低电阻封装，具备低导通电阻，因此有助于降低导通损耗。与东芝上一代设计(U-MOS IV)相比，U-MOS IX-H设计还实现了更低的开关噪声，有助于降低EMI（电磁干扰）。

SOP Advance (WF)封装采用“可沾锡侧翼”(wettable flank)端子结构，支持在焊接之后进行自动光学检测(AOI)

应用场合

• 电动助力转向系统(EPS)
• 负载开关
• 电动泵

特点

• 由于采用U-MOS IX-H工艺和SOP Advance(WF)封装，实现了0.79mΩ的最大导通电阻（R_DS(ON)最大值）。
• 低噪音特性降低了电磁干扰(EMI)。
• 采用可沾锡侧翼端子结构，支持小型低电阻封装。

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东芝：采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”。（照片：美国商业资讯）

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