扩大低电压U-MOS IX-H功率MOSFET系列的产品阵容
东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社今日启动“TPH3R70APL”和“TPN1200APL”的产品出货，这两款产品是该公司低电压U-MOS IX-H N沟道功率MOSFET系列的最新100V产品。这些新器件适用于工业设备的电源应用。
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TPH3R70APL和TPN1200APL采用该公司最先进的低电压U-MOS IX-H沟道工艺制造，对元件结构进行了优化，具备业界最低的导通电阻[1]。此外，与使用U-MOS VIII-H工艺的现有器件相比，这些新器件拥有更低的“RDS(ON) × Qoss”（导通电阻×输出电荷）和“RDS(ON) × QSW”（导通电阻×栅极开关电荷），它们是面向开关应用的MOSFET的关键品质因数[2]。
为了顺应市场趋势，东芝电子元件及存储装置株式会社将继续扩大其MOSFET产品阵容，以帮助提高电源效率
应用场合
– 工业设备电源
– 电机控制设备
特点
– 业界最低导通电阻[1]
RDS(ON) = 3.7mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPH3R70APL)
RDS(ON) = 11.5mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPN1200APL)
– 低输出电荷和低栅极开关电荷
– 支持4.5V逻辑电平驱动
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主要规格 |
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（除非另作说明，@Ta=25°C） |
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产品 型号 |
绝对 最大额定值 |
漏源极 导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
总 栅极 电荷 Qg 典型值 (nC) |
栅极 开关 电荷 Qsw 典型值 (nC) |
输出 电荷 Qoss 典型值 (nC) |
输入 电容 Ciss 典型值 (pF) |
封装 |
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漏 源极 电压 VDSS (V) |
漏极 电流 (DC) ID @Tc = 25℃ (A) |
@V GS= 10V |
@V GS= 4.5V |
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TPH3R70APL |
100 |
90 |
3.7 |
6.2 |
67 |
21 |
74 |
4850 |
SOP Advance |
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TPN1200APL |
40 |
11.5 |
20 |
24 |
7.5 |
24 |
1425 |
TSON Advance |
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注：
[1] 截至2017年12月18日，针对具备等效额定值的MOSFET。东芝电子元件及存储装置株式会社调查。
[2] TPH3R70APL的RDS(ON) × Qoss值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
TPH3R70APL的RDS(ON) × QSW值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社集新公司的活力与集团的经验智慧于一体。自2017年7月从东芝公司完成拆分以来，我们已跻身领先的通用设备公司之列并为客户和商业合作伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD解决方案。
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东芝电子元件及存储装置株式会社：面向工业应用的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R70APL”。（照片：美国商业资讯）
东芝电子元件及存储装置 株式会社：面向工业应用的100V N沟道功率MOSFET“TPN1200APL”。（照片：美国商业资讯）
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