扩大低电压U-MOS IX-H功率MOSFET系列的产品阵容
东京–(美国商业资讯)–东芝电子元件及存储装置株式会社今日启动“TPH3R70APL”和“TPN1200APL”的产品出货，这两款产品是该公司低电压U-MOS IX-H N沟道功率MOSFET系列的最新100V产品。这些新器件适用于工业设备的电源应用。
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TPH3R70APL和TPN1200APL采用该公司最先进的低电压U-MOS IX-H沟道工艺制造，对元件结构进行了优化，具备业界最低的导通电阻[1]。此外，与使用U-MOS VIII-H工艺的现有器件相比，这些新器件拥有更低的“RDS(ON) × Qoss”（导通电阻×输出电荷）和“RDS(ON) × QSW”（导通电阻×栅极开关电荷），它们是面向开关应用的MOSFET的关键品质因数[2]。
为了顺应市场趋势，东芝电子元件及存储装置株式会社将继续扩大其MOSFET产品阵容，以帮助提高电源效率
应用场合
– 工业设备电源
– 电机控制设备
特点
– 业界最低导通电阻[1]
RDS(ON) = 3.7mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPH3R70APL)
RDS(ON) = 11.5mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPN1200APL)
– 低输出电荷和低栅极开关电荷
– 支持4.5V逻辑电平驱动
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主要规格 |
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（除非另作说明，@Ta=25°C） |
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产品 型号 |
绝对 最大额定值 |
漏源极 导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
总 栅极 电荷 Qg 典型值 (nC) |
栅极 开关 电荷 Qsw 典型值 (nC) |
输出 电荷 Qoss 典型值 (nC) |
输入 电容 Ciss 典型值 (pF) |
封装 |
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漏 源极 电压 VDSS (V) |
漏极 电流 (DC) ID @Tc = 25℃ (A) |
@V GS= 10V |
@V GS= 4.5V |
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TPH3R70APL |
100 |
90 |
3.7 |
6.2 |
67 |
21 |
74 |
4850 |
SOP Advance |
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TPN1200APL |
40 |
11.5 |
20 |
24 |
7.5 |
24 |
1425 |
TSON Advance |
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注：
[1] 截至2017年12月18日，针对具备等效额定值的MOSFET。东芝电子元件及存储装置株式会社调查。
[2] TPH3R70APL的RDS(ON) × Qoss值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
TPH3R70APL的RDS(ON) × QSW值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
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东芝电子元件及存储装置株式会社：面向工业应用的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R70APL”。（照片：美国商业资讯）
东芝电子元件及存储装置 株式会社：面向工业应用的100V N沟道功率MOSFET“TPN1200APL”。（照片：美国商业资讯）
