中国北京讯–(美国商业资讯)–宜普电源转换公司（EPC）第五代氮化镓（eGaN®）晶体管及集成电路系列荣获《今日电子》/21IC中国电子网在2017年9月15日于北京颁发的2017年度“Top10电源产品—最佳应用奖”。
面向全新及目前由MOSFET支持的应用的第五代氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）及集成电路系列(EPC2045、EPC2046及EPC2047晶体管)的尺寸减半，而性能却显著提升了三倍，进一步扩大与日益老化的硅功率MOSFET器件的绩效差距，并且在降低成本方面实现质的飞跃。
多种应用受惠于EPC第五代技术，包括100 V EPC2045应用于开放式伺服器架构以实现48 V至负载的单级电源转换、负载点（POL）转换器、激光雷达、低电感马达驱动器及USB-C。而200 V的EPC2046及EPC2047的理想应用包括无线充电、多级AC/DC电源供电、D类音频放大器、机械人应用及太阳能微型逆变器。
EPC公司首席执行官兼共同创始人Alex Lidow说：“我们非常荣幸获得业界著名杂志《今日电子》与21IC中国电子网的专家评审组的支持和评审，选出在现实生活中实现最佳应用的第五代eGaN FET及集成电路系列。eGaN FET及集成电路已被证明可以支持无线充电、激光雷达及DC/DC电源转换等应用，而且还可以应用于其它许多不同的领域。是次获得“最佳应用奖”印证eGaN技术能够带领业界提升电源转换应用的效率。”
《今日电子》/21IC中国电子网的专家评审组对众多参与厂商在2016年8月1日至2017年7月1日推出的技术/产品进行严格的评审。评审提名产品的3个主要标准为创新设计、性价比及技术突破。详情请访问http://epc-co.com/epc/cn/项目及最新消息/新闻.aspx。
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等应用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外，宜普公司正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。详情请访问www.epc-co.com.cn 。
在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: http://www.businesswire.com/news/home/20170920005559/zh-CN/
CONTACT:
宜普电源转换公司（EPC）
Winnie Wong
winnie.wong@epc-co.com
宜普电源转换公司(EPC)的专家携手与工程师发挥氮化镓器件及集成电路的最高性能，不仅替代MOSFET器件，更为市场带来创新设计
✽本文资讯仅供参考，并不构成投资或采购等决策建议(BW)。
