东京–(美国商业资讯)–东芝公司(TOKYO： 6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯具的电源。出货即日启动。
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| 新MOSFET产品阵容及主要规格： | ||||||||||||
| (@Ta=25°C) | ||||||||||||
| 产品 型号 | 封装 | 绝对最大 额定值 | RDS(ON) @VGS=10 V (Ω) | Qg典型值 @VDD≈640 V， VGS=10 V， ID=最大 额定值 (nC) | Ciss典型值 @VDS=300 V， VGS=0 V， f=1 MHz (pF) | |||||||
| VDSS @ ID=10 mA (V) | ID (A) | |||||||||||
| TK17A80W | TO-220SIS | 800 | 17 | 0.29 | 32 | 2050[1] | ||||||
| TK12A80W | TO-220SIS | 800 | 11.5 | 0.45 | 23 | 1400 | ||||||
| TK10A80W | TO-220SIS | 800 | 9.5 | 0.55 | 19 | 1150 | ||||||
| TK7A80W | TO-220SIS | 800 | 6.5 | 0.95 | 13 | 700 | ||||||
| TK17E80W | TO-220 | 800 | 17 | 0.29 | 32 | 2050[1] | ||||||
| TK12E80W | TO-220 | 800 | 11.5 | 0.45 | 23 | 1400 | ||||||
| TK10E80W | TO-220 | 800 | 9.5 | 0.55 | 19 | 1150 | ||||||
| TK7E80W | TO-220 | 800 | 6.5 | 0.95 | 13 | 700 | ||||||
| [1] 测量条件f=100 kHz | ||||||||||||
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关于东芝
东芝公司是一家《财富》全球500强公司，致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域：更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务；保持生活质量的基础设施业务；以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下，东芝竭力推动全球业务，并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。
东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）
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东芝：面向高效电源推出的具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET（照片：美国商业资讯）
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