– 四款新设备提升工业设备的能效与功率密度 –
日本川崎市–（美国商业资讯）– Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了四款650V碳化硅 (SiC) MOSFET，搭载其新款[1]第3代SiC MOSFET芯片，采用紧凑型DFN8x8封装，适用于开关电源和光伏发电调节器等工业设备。这四款设备“TW031V65C”、 “TW054V65C”、“TW092V65C“和“TW123V65C”即日起批量出货。
这款新品是首批采用小型贴片DFN8x8封装的第3代SiC MOSFET，与TO-247和TO-247-4L(X)等传统的引线封装相比，体积缩小超过90%，显著提升了设备的功率密度。贴片封装还能使用比引线封装更小的寄生阻抗[2]元件，从而降低开关损耗。DFN8x8采用4引脚[3]封装，支持对门极驱动信号源端进行Kelvin连接，有效减少封装内源极线的电感影响，实现高速开关性能；以型号TW054V65C为例，其开启损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，相比Toshiba现有产品[5]，有助于减少设备的功率损耗。
Toshiba将持续扩展其产品阵容，助力提升设备能效并增强功率处理能力。
注释：
[1] 截至2025年5月。
[2] 电阻、电感等。
[3] 信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
[4] 截至2025年5月，数值由Toshiba测量。详情请参阅Toshiba网站上此版本中的图1。
[5] 采用TO-247封装（无Kelvin连接）的650V第3代SiC MOSFET，等效电压和导通电阻。
应用领域
- 服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
- 电动汽车充电站
- 光伏逆变器
- 不间断电源
特点
- 采用DFN8x8贴片封装，有助于设备小型化及自动化组装，具备低开关损耗特性。
- 搭载Toshiba第3代SiC MOSFET
- 通过优化漂移区电阻与沟道电阻比例，实现良好的漏源导通电阻温度特性
- 漏源导通电阻与栅漏电荷乘积较低
- 低二极管正向电压：VDSF =-1.35V(典型） (VGS =-5V)
主要规格
| （除非另有说明，Ta =25℃） | |||||||
| 产品型号 | TW031V65C | TW054V65C | TW092V65C | TW123V65C | |||
| 封装 | 名称 | DFN8x8 | |||||
| 尺寸（毫米）： | 典型 | 8.0×8.0×0.85 | |||||
| 绝对最大额定值 | 漏源电压 VDSS (V) | 650 | |||||
| 栅源电压 VGSS (V) | -10 至 25 | ||||||
| 漏极电流 (DC) ID (A) | Tc =25°C | 53 | 36 | 27 | 18 | ||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ） | VGS =18V | 典型 | 31 | 54 | 92 | 123 |
| 栅极阈值电压 Vth (V) | VDS =10V | 3.0 至 5.0 | |||||
| 总栅极电荷 Qg (nC) | VGS =18V | 典型 | 65 | 41 | 28 | 21 | |
| 栅漏电荷 Qgd (nC) | VGS =18V | 典型 | 10 | 6.2 | 3.9 | 2.3 | |
| 输入电容 Ciss (pF) | VDS =400V | 典型 | 2288 | 1362 | 873 | 600 | |
| 二极管正向压降 VDSF (V) | VGS =-5V | 典型 | -1.35 | ||||
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和业务合作伙伴提供卓越的分立半导体、系统LSI和HDD产品。
该公司在全球拥有19,400名员工，以实现产品价值最大化，与客户密切合作共创价值和开拓新市场为宗旨。该公司以建设并促进更美好的未来，让全世界的所有人受益为目标。
如需了解更多信息，请访问 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Toshiba：650V第3代SiC MOSFET，采用DFN8x8封装
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