C与SK海力士就下一代工艺联合开发签订最终协议C
东京–(美国商业资讯)–东芝公司(Toshiba)(TOKYO: 6502)今天宣布，该公司与SK海力士(SK hynix)就纳米压印光刻技术(NIL)签订了最终协议。两家公司的工程师将于今年4月在东芝位于日本横滨的横滨工厂(Yokohama Complex)启动该工艺的基本技术开发，计划于2017年投入实际使用。今天的公告是基于该公司去年12月签订的谅解备忘录(MOU)发布的。
东芝已与多家设备和材料公司在NIL领域开展合作，将他们的技术与东芝的半导体制造工艺相集成。新宣布的与SK海力士一起合作的联合开发计划将加快投入实际使用的进程，并将减轻东芝在NIL开发领域的投入负担。
NIL是促进向未来几代存储设备迁移的候选技术之一。光刻技术是当前的主流工艺技术，采用激光和光敏掩模在半导体晶片上的光敏涂层上蚀刻回路。NIL通过将模板花纹盖印在晶片上直接转移回路设计。这种做法具有实现精细设计的潜力。
东芝将继续推动下一代光刻技术的发展，如NIL和超紫外线光刻技术，作为加强其存储业务以及向未来几代产品迁移的途径。
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关于东芝
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东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业，全球拥有超过200,000名员工，年销售额逾6.5万亿日元（630亿美元）。
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