全球领先的内存解决方案供应商铠侠株式会社(Kioxia Corporation)今天宣布，它将在日本岩手县的北上工厂开建一个先进的新生产设施(Fab2)，以支持其专有3D闪存BiCS FLASHTM的潜在扩产。该设施计划于2022年4月开始

通过使用TCAD仿真，Unisantis证明了DFM与DRAM相比具有将密度提高4倍的巨大潜力。关于DFM和Unisantis SGT Technology应用的更多详细信息将在未来的活动中公布。

东京--(美国商业资讯)--存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日已启动其通用闪存(UFS)设备[1]的样品生产，该设备采用东芝存储器株式会社尖端的64层BiCS FLASH™3D闪存。[2] 全新的UFS设备可满足需要

东芝存储器公司第四代BiCS FLASH层数增加，存储容量提高 东京--(美国商业资讯)--存储器解决方案全球领导者东芝存储器公司今日宣布，公司已开发出采用堆叠式结构[1]的96层BiCS FLASH™三维(3D)闪存的原型

芯片样品发货将于本月启动，批量生产预计将于今年下半年启动。其样品发货计划于2017年4月启动。东芝闪存业务已大批量生产64层256千兆比特设备并将扩大BiCS FLASH™的生产。

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)今日宣布研发全球首款*1运用硅通孔(TSV)技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND闪存。将于8月11日至13日在美国圣克拉拉举行的2015年闪存峰会(Flash Memory Sum